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Enhancing hydrogen evolution activity of MoS2 basal plane by substitutional doping and strain engineering
Enhancing hydrogen evolution activity of MoS2 basal plane by substitutional doping and strain engineering
Challenge 애게서 업로드 하였습니다. 17. 8. 10 오전 11:16 경진대회: 나노물리 나노물리 » 5회 경진대회
버전 1.2
본 연구에서는 Density functional theory(DFT) 계산을 이용하여, MoS2의 Mo와 S를 다른 원자로 치환했을 때 2H-MoS2 monolayer의 basal plane에서 HER활성을 향상시켰다. 특히 Ge와 Rh를 치환한 경우, ΔGH가 각각 0.03eV, 0,07eV로 최적에 가까운 HER활성이 나타났다. 다른 원자의 치환이 Fermi level 근처의 DOS(density of states)를 높여, ΔGH을 0에 가깝게 낮출 수 있음을 확인하였다. 또한 치환되는 원자의 농도, 그리고 strain을 변화시켜 농도와 strain의 증가에 따른 ΔGH 감소를 발견했다. 이로써 각치환되는 원자마다, 치환 농도와 strain을 함께 변화시켜 ΔGH을 낮출 수 있었다. ΔGH가 0에 가까운( 0.2eV 이내) 원자종류, 치환 농도, strain의 여러 조합을 찾았다.
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