[NP_O_09] Performance Analysis of GaSb Junctionless Nanowire Transistor.pdf

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Juntionless nanowire transistor (JNT) 의 채널 물질을 GaSb, Si 을 사용하여 소자의 성능을 비교, 분석 하였다. 채널 길이가 13 nm 이상인 경우 GaSB-JNT 가 Si-JNT 대비 on current 에서 20 % 우수한 특성을 보이고 subthreshold swing (SS) 값에서 큰 차이를 보이지 않았다. 하지만 채널 길이가 10 nm 보다 작은 경우 GaSb-JNT 의 source to drain tunneling (SDT) leakage 와 drain induced barrier lowering (DIBL) 값이 증가하면서 채널 길이가 감소함에 따라 on current 가 감소하는 정도가 Si-JNT 대비 크게 나타났다. 채널 길이가 7 nm 인 경우 GaSb-JNT, Si-JNT 의 on current 는 비슷한 값을 보이며 SS 의 경우 GaSb-JNT 가 Si-JNT 대비 큰 값을 갖는다. 10 nm 이상이 채널 길이를 갖는 short channel device 의 경우 GaSb-JNT 가 Si-JNT 대비 우수한 성능을 보임을 확인하였다.
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태그: tbm mosfet_analyzer kp_pmtlab
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20. 5. 20 오후 4:08
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Juntionless nanowire transistor (JNT) 의 채널 물질을 GaSb, Si 을 사용하여 소자의 성능을 비교, 분석 하였다. 채널 길이가 13 nm 이상인 경우 GaSB-JNT 가 Si-JNT 대비 on current 에서 20 % 우수한 특성을 보이고 subthreshold swing (SS) 값에서 큰 차이를 보이지 않았다. 하지만 채널 길이가 10 nm 보다 작은 경우 GaSb-JNT 의 source to drain tunneling (SDT) leakage 와 drain induced barrier lowering (DIBL) 값이 증가하면서 채널 길이가 감소함에 따라 on current 가 감소하는 정도가 Si-JNT 대비 크게 나타났다. 채널 길이가 7 nm 인 경우 GaSb-JNT, Si-JNT 의 on current 는 비슷한 값을 보이며 SS 의 경우 GaSb-JNT 가 Si-JNT 대비 큰 값을 갖는다. 10 nm 이상이 채널 길이를 갖는 short channel device 의 경우 GaSb-JNT 가 Si-JNT 대비 우수한 성능을 보임을 확인하였다.
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