[NP_O_02] Silicene 의 Electric Field property 를 이용한 100meV 이상 급의 밴드갭에 관한 연구.pdf

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기존의 연구동향을 고려하여 Silicene Monolayer와 bilayer의 수직방향 전기장 인가에 따른 100meV 이상 급의 밴드갭 특성을 연구했다. Monolayer 구조는 direct bandgap을 형성하며 MD계산의 경우 590 meV (5.1V/Å 인가)까지, single point 계산의 경우 1.25 eV (11.8V/Å 인가)까지 밴드갭이 형성되었다. Bilayer 구조 중 AB Stacking구조가 가장 안정하다는 것이 확인되었으며, 이 구조 하에서는 두 개의 간섭적인 디락콘이 형성되어 indirect band gap을 형성했다. Bilayer에서는 100meV 이상의 밴드갭을 형성할 수 없음을 확인했다. 결론적으로 Monolayer Silicene이 direct한 100 meV 이상 급의 밴드갭을 형성하여 recombination 확률이 높고, 열적 요동을 견딜 수 있어 광소자, 전자소자로서의 가능성을 보였다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
태그: lcaodftlab band_calculator
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20. 5. 20 오후 3:49
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기존의 연구동향을 고려하여 Silicene Monolayer와 bilayer의 수직방향 전기장 인가에 따른 100meV 이상 급의 밴드갭 특성을 연구했다. Monolayer 구조는 direct bandgap을 형성하며 MD계산의 경우 590 meV (5.1V/Å 인가)까지, single point 계산의 경우 1.25 eV (11.8V/Å 인가)까지 밴드갭이 형성되었다. Bilayer 구조 중 AB Stacking구조가 가장 안정하다는 것이 확인되었으며, 이 구조 하에서는 두 개의 간섭적인 디락콘이 형성되어 indirect band gap을 형성했다. Bilayer에서는 100meV 이상의 밴드갭을 형성할 수 없음을 확인했다. 결론적으로 Monolayer Silicene이 direct한 100 meV 이상 급의 밴드갭을 형성하여 recombination 확률이 높고, 열적 요동을 견딜 수 있어 광소자, 전자소자로서의 가능성을 보였다.
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