HfO2, TiO2와 Ta2O5 RRAM Device의 전기적 특성 비교

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썸네일 Challenge 애게서 업로드 하였습니다. 19. 7. 4 오전 11:49
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금속-절연막-금속의 패턴을 가지는 소자 특성 분석 시뮬레이션을 진행하였다. 전극은 백금, 절연막으로는 보편적으로 RRAM 소자 연구에 사용되는 HfO2와 TiO2, Ta2O5를 사용했으며 절연막의 두께, 트랩의 수, 트랩의 깊이 등을 변수로 하여 각 RRAM 소자의 전류 특성을 비교하였다. 트랩의 수, 트랩의 깊이를 변화시켰을 때, 각각의 물질 내에서는 RRAM을 작동시키기 위한 Transition Voltage와 Transition Field가 두께에 따라 차이가 거의 없었다. 하지만, 절연막의 두께가 얇아질수록, Transition Voltage는 작아지고 전류 밀도는 커지므로 결과적으로, 저항이 감소함을 알 수가 있었다. 절연막으로써 사용되는 세 물질을 비교했을 때, Ta2O5가 다른 물질보다 더 좋은 특성을 가짐을 확인 할 수 있었다.
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19. 7. 4 오후 1:51
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금속-절연막-금속의 패턴을 가지는 소자 특성 분석 시뮬레이션을 진행하였다. 전극은 백금, 절연막으로는 보편적으로 RRAM 소자 연구에 사용되는 HfO2와 TiO2, Ta2O5를 사용했으며 절연막의 두께, 트랩의 수, 트랩의 깊이 등을 변수로 하여 각 RRAM 소자의 전류 특성을 비교하였다. 트랩의 수, 트랩의 깊이를 변화시켰을 때, 각각의 물질 내에서는 RRAM을 작동시키기 위한 Transition Voltage와 Transition Field가 두께에 따라 차이가 거의 없었다. 하지만, 절연막의 두께가 얇아질수록, Transition Voltage는 작아지고 전류 밀도는 커지므로 결과적으로, 저항이 감소함을 알 수가 있었다. 절연막으로써 사용되는 세 물질을 비교했을 때, Ta2O5가 다른 물질보다 더 좋은 특성을 가짐을 확인 할 수 있었다.
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