Electronic structure of 1T-VSe2 monolayer

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이 논문에서는 제일원리계산을 수행하여 VSe2 단일층의 전자 구조를 연구하였다. VSe2 단일층의 이론 격자 상수는 3.33Å, 단일층의 높이는 3.16Å로 계산되었다. VSe2 단일층은 0.60μB의 자기모멘트를 지니며, 이러한 자성에는 V 3d orbital이 주로 기여한다. 에너지 밴드 구조는 페르미 준위 근처에서 spin-up 밴드와 spin-down 밴드의 spin splitting이 0.43eV 정도로 나타나는 것을 확인하였다. 최종적으로 계산된 밴드 구조를 이용하여 Fermi surface를 구하고, Fermi surface nesting이 존재함을 확인하였다. 이는 1T-VSe2 단일층이 전하밀도파를 형성할 가능성이 높다는 것을 의미한다.
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태그: lcaodftlab
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19. 7. 4 오후 2:11
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이 논문에서는 제일원리계산을 수행하여 VSe2 단일층의 전자 구조를 연구하였다. VSe2 단일층의 이론 격자 상수는 3.33Å, 단일층의 높이는 3.16Å로 계산되었다. VSe2 단일층은 0.60μB의 자기모멘트를 지니며, 이러한 자성에는 V 3d orbital이 주로 기여한다. 에너지 밴드 구조는 페르미 준위 근처에서 spin-up 밴드와 spin-down 밴드의 spin splitting이 0.43eV 정도로 나타나는 것을 확인하였다. 최종적으로 계산된 밴드 구조를 이용하여 Fermi surface를 구하고, Fermi surface nesting이 존재함을 확인하였다. 이는 1T-VSe2 단일층이 전하밀도파를 형성할 가능성이 높다는 것을 의미한다.
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