[NP_O_07] Polar optical phonon limited electron mobility for GaN based heterostructure.pdf

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이 논문에서는 GaN 채널을 가진 1차원 heterostructure에 대한 수치해석 시뮬레이션을 수행하였다. HEMT 소자의 기반이 되는 1차원 구조에 대해 Self-consistent Schrödinger-Poisson equation을 구현한 뒤 그 결과를 기반으로 극성 광학 포논 산란만을 고려하여 이동도를 계산하였다. 2차원 전자가스 채널의 농도가 〖10〗^11~〖10〗^13cm-2의 양을 가질 때 서브밴드의 개수에 따라 어떤 차이가 있는지 확인하였다. 고려하는 서브밴드의 개수가 적을수록 낮은 전자농도에서 이동도가 더 큰 결과를 주었다. 그 이유는 채널의 약한 구속효과로 인해 전자들이 높은 서브밴드에도 많이 존재하게 되는데 높은 서브밴드를 통하는 산란 효과가 무시되기 때문이다.
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20. 5. 20 오후 4:05
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이 논문에서는 GaN 채널을 가진 1차원 heterostructure에 대한 수치해석 시뮬레이션을 수행하였다. HEMT 소자의 기반이 되는 1차원 구조에 대해 Self-consistent Schrödinger-Poisson equation을 구현한 뒤 그 결과를 기반으로 극성 광학 포논 산란만을 고려하여 이동도를 계산하였다. 2차원 전자가스 채널의 농도가 〖10〗^11~〖10〗^13cm-2의 양을 가질 때 서브밴드의 개수에 따라 어떤 차이가 있는지 확인하였다. 고려하는 서브밴드의 개수가 적을수록 낮은 전자농도에서 이동도가 더 큰 결과를 주었다. 그 이유는 채널의 약한 구속효과로 인해 전자들이 높은 서브밴드에도 많이 존재하게 되는데 높은 서브밴드를 통하는 산란 효과가 무시되기 때문이다.
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