[NP_O_13] Anisotropic Device Characteristics of Black Phosphorus Field-Effect Transistors.pdf

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2차원 물질은 뛰어난 전기적, 광학적 특성으로 차세대 나노 물질로 각광받고 있다. Black Phosphorous(BP)는 다른 2차원 물질과 달리 anisotropic한 구조를 가지고 있어 transport direction에 따른 특성에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 실제 공정상에서는 구현하기 힘든 아주 짧은 길이(5~25nm)의 2차원 물질을 채널로 하는 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)의 전기적 성질을 분석하였다. Discrete Fourier Transform과 Non-Equilibrium Green’s Function 방정식 기반의 EDISON 시뮬레이터를 사용하여, 채널길이, gate 종류, 결정방향에 따른 transistor의 전기적 특성을 분석하였다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
태그: dft_based_negf_2d effective_mass_calculator
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20. 5. 20 오후 4:27
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2차원 물질은 뛰어난 전기적, 광학적 특성으로 차세대 나노 물질로 각광받고 있다. Black Phosphorous(BP)는 다른 2차원 물질과 달리 anisotropic한 구조를 가지고 있어 transport direction에 따른 특성에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 실제 공정상에서는 구현하기 힘든 아주 짧은 길이(5~25nm)의 2차원 물질을 채널로 하는 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)의 전기적 성질을 분석하였다. Discrete Fourier Transform과 Non-Equilibrium Green’s Function 방정식 기반의 EDISON 시뮬레이터를 사용하여, 채널길이, gate 종류, 결정방향에 따른 transistor의 전기적 특성을 분석하였다.
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