[NP_O_04] 2D TMD 물질을 이용한 고성능 스위칭소자 설계 및 분석.pdf

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본 연구에서는 2D TMD(Transition Metal Dichalcogenides) 물질인 WS2, WSe2, MoS2를 비교분석 후 WS2를 채널물질로 사용한 TMD FET소자를 ‘2D 반도체 FET 특성해석을 위한 S/W(DFT BASED NEGF 2D)’를 활용하여 조건변화에 따른 소자의 특성변화를 확인하였다. 물질에 따른 특성비교를 바탕으로 가장 우수한 채널물질이 WS2임을 확인하였고, 확인한 채널물질(WS2) 에서 결정방향, 채널길이, 게이트 타입, 도핑농도, oxide 물질 및 두께 변수에 따른 transfer curve를 도출하여 Subthreshold Swing(SS), mobility, On-Off ratio(Ion/Ioff) 등을 추출하였다. armchair 구조이고, oxide 두께가 얇을수록, double gate일 때 FET 소자의 전기적 특성이 우수함을 확인하였다. 그 결과 최적화된 WS2 FET의 transfer curve에서 Subthreshold Swing(SS)=56.65mV/dec, mobility=557.45 cm²/V·s, On-Off ratio(Ion/Ioff)= 1.543×〖10〗^9 임을 확인하였다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
태그: gamess kdft band_calculator bandvasplab surfacejunctionmodeler gnrmodeler dft_based_negf_2d stmlab effective_mass_calculator band_doslab
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20. 5. 20 오후 3:54
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본 연구에서는 2D TMD(Transition Metal Dichalcogenides) 물질인 WS2, WSe2, MoS2를 비교분석 후 WS2를 채널물질로 사용한 TMD FET소자를 ‘2D 반도체 FET 특성해석을 위한 S/W(DFT BASED NEGF 2D)’를 활용하여 조건변화에 따른 소자의 특성변화를 확인하였다. 물질에 따른 특성비교를 바탕으로 가장 우수한 채널물질이 WS2임을 확인하였고, 확인한 채널물질(WS2) 에서 결정방향, 채널길이, 게이트 타입, 도핑농도, oxide 물질 및 두께 변수에 따른 transfer curve를 도출하여 Subthreshold Swing(SS), mobility, On-Off ratio(Ion/Ioff) 등을 추출하였다. armchair 구조이고, oxide 두께가 얇을수록, double gate일 때 FET 소자의 전기적 특성이 우수함을 확인하였다. 그 결과 최적화된 WS2 FET의 transfer curve에서 Subthreshold Swing(SS)=56.65mV/dec, mobility=557.45 cm²/V·s, On-Off ratio(Ion/Ioff)= 1.543×〖10〗^9 임을 확인하였다.
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