Comparative electronic properties of 2H and 1T TaS2 A first principle study

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이 논문에서는 이차원 층상 구조 물질인 TaS2의 2H와 1T polytype에 대한 제일원리 전자구조계산을 수행하였다. 그 결과, 2H 구조가 1T 구조보다 총 에너지가 0.07eV/unit cell 낮아 더 안정함을 확인하였다. 에너지 밴드 구조와 전자상태밀도 계산을 통해 두 구조 모두 금속성을 띰을 확인하였다. 계산된 밴드 구조로부터 얻어지는 Fermi surface는 2H 구조에서 hole pocket만 형성되고, 1T 구조에서 electron pocket만 형성된다. 1T 구조의 Fermi surface는 nesting으로 인해 전하밀도파 현상이 일어날 가능성이 높음을 암시한다.
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19. 7. 4 오후 2:09
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이 논문에서는 이차원 층상 구조 물질인 TaS2의 2H와 1T polytype에 대한 제일원리 전자구조계산을 수행하였다. 그 결과, 2H 구조가 1T 구조보다 총 에너지가 0.07eV/unit cell 낮아 더 안정함을 확인하였다. 에너지 밴드 구조와 전자상태밀도 계산을 통해 두 구조 모두 금속성을 띰을 확인하였다. 계산된 밴드 구조로부터 얻어지는 Fermi surface는 2H 구조에서 hole pocket만 형성되고, 1T 구조에서 electron pocket만 형성된다. 1T 구조의 Fermi surface는 nesting으로 인해 전하밀도파 현상이 일어날 가능성이 높음을 암시한다.
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