Silicon-Silicon dioxide 계면에서의 defect 거동 연구

Silicon-Silicon dioxide 계면에서의 defect 거동 연구

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본 연구에서는 제일원리 계산을 이용하여 Si(100)/SiO2 계면 내부에서 발생하는 point defect들의 거동에 대해 살펴보았다. Defect 계산에 앞서 안정한 Si/SiO2 계면을 찾아보았고 찾은 계면을 바탕으로 계면에서 point defect의 formation energy를 계산해 보았고 이를 통해 Si defect의 경우 Si층 쪽 보다는 SiO2 층에서, 그리고 계면 내부 보다는 계면 경계 근처에서 발생할 가능성이 높음을 보였다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 3회 경진대회
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17. 8. 8 오후 3:16
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본 연구에서는 제일원리 계산을 이용하여 Si(100)/SiO2 계면 내부에서 발생하는 point defect들의 거동에 대해 살펴보았다. Defect 계산에 앞서 안정한 Si/SiO2 계면을 찾아보았고 찾은 계면을 바탕으로 계면에서 point defect의 formation energy를 계산해 보았고 이를 통해 Si defect의 경우 Si층 쪽 보다는 SiO2 층에서, 그리고 계면 내부 보다는 계면 경계 근처에서 발생할 가능성이 높음을 보였다.
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