CNT-TFET을 이용한 저전력 인버터 설계

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썸네일 Challenge 애게서 업로드 하였습니다. 17. 8. 9 오전 10:47
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최근 에너지 효율과 소형화측면에서 한계를 보이는 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET)을 대체할 수 있는 소자로 Tunneling FET(TFET)이 주목받고 있다. 본 논문에서는탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT) TFET을 시뮬레이션하여전자회로의 기본 단위인 인버터(Inverter)를 설계한다. 설계한 인버터의 성능을 CNT-MOSFET 인버터와 비교하여 저전력 디지털 회로로써의 가능성을 확인한다.
경진대회: 나노물리 나노물리 » 4회 경진대회
태그: cnt_fet
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17. 8. 29 오전 11:34
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최근 에너지 효율과 소형화측면에서 한계를 보이는 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET)을 대체할 수 있는 소자로 Tunneling FET(TFET)이 주목받고 있다. 본 논문에서는탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT) TFET을 시뮬레이션하여전자회로의 기본 단위인 인버터(Inverter)를 설계한다. 설계한 인버터의 성능을 CNT-MOSFET 인버터와 비교하여 저전력 디지털 회로로써의 가능성을 확인한다.
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