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[NP_O_08] InSe 단일층의 strain 에 의한 전자 구조 변화 연구.pdf
[NP_O_08] InSe 단일층의 strain 에 의한 전자 구조 변화 연구.pdf
EDISON Test 애게서 업로드 하였습니다. 18. 5. 11 오후 1:19 경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
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우리는 이차원 (2D) 화합물 반도체인 InSe에 uniaxial strain이 가해졌을 때 생기는 여러 가지 물성의 변화를 제일원리 계산을 이용해 연구하였다. InSe의 구조적 symmetry를 고려하여 compressive strain과 tensile strain을 가하였을 때 strain을 가하지 않은 구조가 가장 안정함을 알 수 있었다. Strain의 크기가 증가할수록 band gap은 감소하는 경향을 보였고, strain의 크기와 무관하게 valence band maximum에서 Se의 p orbital character가 유지됨을 확인하였다.
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