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[NP_O_03] Electron instability of dangling-bond wires in wurtzite nitride semiconductors.pdf
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EDISON Test 애게서 업로드 하였습니다. 18. 5. 11 오후 1:19 경진대회: 나노물리 나노물리 » 7회 경진대회
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나는 수소가 흡착된 AlN, GaN, InN의 (101 ̅0) 표면에 형성된 1차원 댕글링 본드 와이어의 금속-절연체 전이를 제일원리 계산을 이용하여 연구하였다. 각 댕글링 본드 와이어는 파이얼스 왜곡 (Peierls distortion) 혹은 반강자성 (Antiferromagnetism) 을 겪으며 band-gap opening에 의한 전자의 에너지 획득이 일어났다. Al의 댕글링 본드 와이어는 강한 전자-전자 상호작용에 의해 스핀 밀도파 (Spin density wave) 상태를 갖는 반면, In의 댕글링 본드 와이어는 강한 전하-격자 상호작용에 의해 전하 밀도파(Charge density wave) 상태를 갖는다. Ga의 경우 반강자성과 파이얼스 불안정성이 강하게 경쟁한다. 이러한 물리적 현상이 일어나는 이유는 주양자수가 높아질수록 댕글링 본드 오비탈이 비국소화 되었기 때문이다.
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