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Ultra thin body Tunnel field-effect transistors (UTB TFETs) 의 channel 을 Si 를 사용하여 biaxial strain engineering 에 의한 소자의 성능을 비교, 분석하였다. 본 연구에서는 device 가 scaling 됨에 따라 매우 얇은 thickness 를 선택하고자 하였고, band gap 이 너무 커지지 않는 선에서 2 nm 를 시뮬레이션에 사용하였다. 먼저 compressive strain 을 인가했을 때 3% 까지는 소자의 성능 변화가 두드러지지 않았다. 반면에, Tensile strain 을 인가했을 때는 3% 일 때 no strain (0%) 과 비교하여 on current 가 5 배 가까이 증가함을 확인할 수 있었다. 기존에 연구되었던 compressive, tensile strain 외에도 asymmetric strain 에서는 3% 일 때 off current 가 증가함으로써 TFETs 본래의 장점인 low power application 으로써의 활용이 어려움을 파악하였다. 따라서 본 연구에서는 asymmetric strain effect 가 소자의 성능에 critical factor 로 작용할 수 있다는 것을 확인하였다.

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